N канальный транзистор MOSFET |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 101A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 174A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5480pF @ 25V |
Power - Max | 330W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | Super-220™-3 (Straight Leads) |
Корпус | SUPER-220™ (TO-273AA) |
IRFBA1405P (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5200-O | 163.32 | |||||||
2SC5200-O | Toshiba | |||||||
2SC5200-O | TOS | |||||||
DS18S20 | Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С | MAXIM | ||||||
DS18S20 | Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С | DALLAS | ||||||
DS18S20 | Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С | 189.60 | ||||||
DS18S20 | Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С | MAX | ||||||
DS18S20 | Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С | DALLAS SEMIC | ||||||
DS18S20 | Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С | MAX/DALL | ||||||
IRFBA1405PPBF | N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFBA1405PPBF | N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт | INFINEON | ||||||
IRFBA1405PPBF | N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт | |||||||
БАТАРЕЯ ААА DURACELL TURBO | 208.00 | |||||||
БАТАРЕЯ ААА DURACELL TURBO | БЕЛЬГИЯ | |||||||
ТП-124- 7 220/13.2В-1.0А | КОМПЛЕКС | |||||||
ТП-124- 7 220/13.2В-1.0А | 580.00 |
|