IRF9952TR


Купить IRF9952TR ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF9952TR
Версия для печати

Технические характеристики IRF9952TR

Power - Max2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds190pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2.2A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход