Версия для печати
Технические характеристики IRF7507TR

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A, 1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	260pF @ 15V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус	Micro8™

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN	4 338	30.38
		BB133		Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323	NXP
		BB133		Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323	PHILIPS
		BB133		Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323		5	25.00
		BB133		Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323	PHILIPS	1 005
		BB133		Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323	SHIKUES	2 440	7.07
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	2.92
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	286 135	2.75
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	13 074	8.19
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	1	5.02
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	40	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	17 748	5.59
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	8 812	2.34
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.99
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.35
		LQH43M-181-1000 МКГН 10%
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	7 442	18.57
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"