IRF3711Z


Hexfet power mosfets discrete n-channel

Купить IRF3711Z ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF3711Z
Версия для печати

Технические характеристики IRF3711Z

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C92A
Vgs(th) (Max) @ Id2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2150pF @ 10V
Power - Max79W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3711Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF3711Z datasheet
361.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход