|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Корпус | TO-262 |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Тип монтажа | Выводной |
Power - Max | 200W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5110pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 135A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 104A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
IRF2805L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF2805S
Производитель:
|
|