IPS042G
Транзистор полевой Power Switch
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SO |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Напряжение питания | 4 V ~ 6 V |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 3A |
| Ток выходной / канал | 530mA |
| Сопротивление (On-State) | 370 mOhm |
| Число выходов | 2 |
| Тип | Low Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IPS042G (N-канальные транзисторные модули) Dual Fully Protected Power Mosfet Switch
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPIC2302D |
|
1 556.00 | |||||
|
|
TPIC2302D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
TPIC2302D | TEXAS INSTRUMENTS | 20 |
|
||||
| ЗАЖ. HJKT1 2044A (СКОТЧЛОК) | ZF |
|
|
|||||
| ЗАЖ. HJKT1 2044A (СКОТЧЛОК) | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный | 86 | 177.12 | ||
|
|
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный | ТОМИЛИНО |
|
|
|
 |
КТ807Б | 120 | 18.00 | |||||
|
|
КТ807Б | УЛЬЯНОВСК | 18 | 10.00 | ||||
 |
Т151-100-16 |
|
1 306.00 | |||||
|
|
Т151-100-16 | RUS |
|
|
