|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
DC COMPONENTS
|
4 728
|
3.99
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
|
14 401
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
|
1 129
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
2SA564A |
|
|
MITSUBISHI
|
35
|
10.00
|
|
|
|
2SA844 |
|
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SA844 |
|
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SA933 |
|
Биполярный транзистор S-P 50В 0.1A 140МГц
|
ROHM
|
1 934
|
4.25
|
|
|
|
2SA933 |
|
Биполярный транзистор S-P 50В 0.1A 140МГц
|
|
3
|
28.80
|
|
|
|
2SA984 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 0,5A, 0,6W, 120MHz
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SA984 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 0,5A, 0,6W, 120MHz
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SA984 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 0,5A, 0,6W, 120MHz
|
|
|
23.56
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
|
22 408
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
DC COMPONENTS
|
7 663
|
3.53
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
4.92
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
4 000
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
14 028
|
2.85
|
|
|
|
BC558 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC558 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC558 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC558 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC558 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA
|
|
6
|
14.40
|
|
|
|
BC558 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
669
|
9.62
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
13.26
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
4 520
|
12.40
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
|
628
|
10.32
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
БРЯНСК
|
3 706
|
12.00
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
27.07
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
103
|
5.28
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
12.24
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
113
|
10.00
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
992
|
12.00
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ПРОХЛАДНЫЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
16
|
6.22
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
15 558
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
88 656
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
847
|
3.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
303 504
|
1.46
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
63 223
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
7 558
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
7 906
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 352
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
220
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
40 000
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
115 254
|
5.28
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
117 914
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
253 101
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
64 000
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 142
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
80
|
1.39
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
75 600
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
2 067
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
21 000
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
33 768
|
1.08
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
238 400
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
|
22 408
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
DC COMPONENTS
|
7 663
|
3.53
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
UTC
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
|
58 224
|
5.62
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
266
|
15.30
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
WINGSHING
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
-
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ANK
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
WS
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
HOTTECH
|
41 690
|
2.92
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
CJ
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
YOUTAI
|
83 385
|
2.83
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
KEXIN
|
3 111
|
10.14
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ZH
|
78 400
|
6.29
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
LGE
|
2
|
6.56
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
UMW
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DC COMPONENTS
|
14 788
|
4.55
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
|
25
|
14.40
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIC
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YJ
|
1 680
|
4.92
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SEMTECH
|
120
|
5.66
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
OLITECH
|
1 755
|
3.58
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
1
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MDD
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
RUME
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
|
8
|
122.40
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
1
|
|
|
|