| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
470МКФ 10В (6.3Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
470МКФ 10В (6.3Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10В
|
|
|
9.60
|
|
 |
 |
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
|
38
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
FSC
|
3 196
|
2.97
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
HOTTECH
|
2 008
|
4.93
|
|
|
|
|
R1620 500K (СП3-4АМ ВАЛ 20ММ) |
|
|
|
1 716
|
18.34
|
|
|
|
|
R1620 500K (СП3-4АМ ВАЛ 20ММ) |
|
|
|
1 716
|
18.34
|
|
|
|
|
SNDI-07 |
|
|
DPT
|
|
|
|
|
|
|
SNDI-07 |
|
|
|
|
57.56
|
|
|
|
|
SNDI-07 |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SNDI-07 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
106
|
1 147.50
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
65
|
805.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
199
|
1 250.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
