BTS840S2
|
|
Версия для печати
| Корпус | P-DSO-20 |
| Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Напряжение питания | 5 V ~ 34 V |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 50A |
| Ток выходной / канал | 12A |
| Сопротивление (On-State) | 27 mOhm |
| Число выходов | 2 |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Тип | High Side |
| Серия | PROFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BTS650P |
|
Транзистор полевой | INFINEON |
|
|
||
|
|
BTS650P |
|
Транзистор полевой |
|
251.00 | |||
|
|
BTS650P |
|
Транзистор полевой | Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
BTS650P |
|
Транзистор полевой | INFINEON TECH |
|
|
||
| EN80C196KC20 |
|
Intel |
|
|
||||
| EN80C196KC20 |
|
|
|
|||||
| MC68HC11E1CFN2 |
|
|
||||||
| MC68HC11E1CFN2 | Freescale Semiconductor |
|
|
|||||
| MC68HC11E1CFN2 | MOTOROLA |
|
|
|||||
| MC68HC11E1CFN2 | NXP SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| ФЛЮС СПИРТО-КАНИФОЛЬНЫЙ 25МЛ |
|
113.36 | ||||||
| ЭПСН 220В 30ВТ С КЕРАМИЧЕСКИМ НАГРЕВАТЕЛЕМ |
|
676.00 |
