SA555DR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SA555DR (TEXAS INSTRUMENTS)	13	9.75
SA555DR	44 016	27.90
SA555DR (YOUTAI)	18 080	10.42
SA555DR (4-7 НЕДЕЛЬ)	332	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SA555DR

Тип монтажа	Поверхностный
Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	10mA
Напряжение питания	4.5 V ~ 16 V
Частота	500kHz
Тип	555 Type, Timer/Oscillator (Single)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequency	500kHz

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3179	Биполярный транзистор	SANKEN
2SC3179	Биполярный транзистор	SK
2SC3179	Биполярный транзистор			45.24
2SC3179	Биполярный транзистор	NTM
2SC3179	Биполярный транзистор	NO TRADEMARK
2SC3179	Биполярный транзистор	ISCSEMI
FTR-K1CK024W		FUJITSU
FTR-K1CK024W				632.80
FTR-K1CK024W		FUJITSU
FTR-K1CK024W		FUJ
FTR-K1CK024W		FCL
MAX474ESA		MAXIM	32	223.20
MAX474ESA		MAX
MAX474ESA				422.96
MAX474ESA		Maxim Integrated Products
MAX474ESA		MAXIM
MAX474ESA		4-7 НЕДЕЛЬ	363
NTF3055L108T1G	N-канальный полевой транзистор (MOSFET N-CH 60V 3A SOT223, -55 to , VDS,В 440pF @ 25V, ...	ON SEMICONDUCTOR
NTF3055L108T1G	N-канальный полевой транзистор (MOSFET N-CH 60V 3A SOT223, -55 to , VDS,В 440pF @ 25V, ...	ON SEMICONDUCTOR
NTF3055L108T1G	N-канальный полевой транзистор (MOSFET N-CH 60V 3A SOT223, -55 to , VDS,В 440pF @ 25V, ...	ONS
NTF3055L108T1G	N-канальный полевой транзистор (MOSFET N-CH 60V 3A SOT223, -55 to , VDS,В 440pF @ 25V, ...
SA555P		TEXAS INSTRUMENTS	37	21.70
SA555P			1	71.82
SA555P		TEXAS INSTRUMENTS	4
SA555P		TEXAS
SA555P		TEXAS INSTRUMEN
SA555P		4-7 НЕДЕЛЬ	259