2220 0,22МКФ 630В X7R (GCJ55DR72J224KXJ1L )

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SQP-5-150 ОМ-5%			92	14.08
КТ361А КРАСН.		ТОМСК
КТ361А КРАСН.
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		701	27.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 049	36.00
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	40.34
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 558	6.12
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	35.70
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 765	28.00
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
СПО-1-150 ОМ			5	17.60