| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
RC0603FR-072K26L |
|
|
YAGEO
|
254 908
|
0.50
>1000 шт. 0.10
|
|
|
|
|
RC0603FR-072K26L |
|
|
YAGEO
|
18 460
|
|
|
|
|
|
RC0603FR-072K26L |
|
|
|
80
|
|
|
|
|
|
TCNT2000 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
TCNT2000 |
|
|
|
|
|
|
 |
|
КД410АМ |
|
|
|
23 691
|
2.18
|
|
|
|
|
КД410АМ |
|
|
ИЗОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД410АМ |
|
|
ИЗОТОП
|
10 589
|
1.49
|
|
|
|
|
КД410АМ |
|
|
13477
|
|
|
|
|
|
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
44
|
46.85
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
226
|
75.60
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
30
|
96.09
|
|
|
|
|
УН-9/18-0,3 УМНОЖИТЕЛЬ |
|
|
|
92
|
296.80
|
|
Версия для печати
