КУ208Г1
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AMIS30522C5222G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| AMIS30522C5222G | ONS |
|
|
|||||
| AMIS30522C5222G |
|
|
||||||
| AMIS30522C5222G | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
 |
 |
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz |
|
377.52 | ||
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | INFINEON |
|
|
|
| KA3361(C) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1400ASN30T1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1400ASN30T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1400ASN30T1G |
|
|
||||||
| СП3-33-24-0,125-33 КОМ-20%-В Х2 |
|
|
