RES 0805 2K 1%

Версия для печати

Технические характеристики RES 0805 2K 1%

Производитель	Yageo Corporation
Номинальное сопротивление	2 кОм
Допуск сопротивления	±1%
Номинальная мощность	0.125 Вт
Тип монтажа	SMD_0805
	RES_CR0805

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP	13 978
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...		399	3.36
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	MULTICOMP
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	15.81
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	КИТАЙ
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INFINEON
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	51 889	7.07
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HUASHUO	6 004	4.05
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	YOUTAI
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER	36
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON	54 719	22.09
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	KLS
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	FAI/QTC
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONS	147 637	4.26
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR	9 124
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONSEMICONDUCTOR	8	7.87
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTO
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONS-FAIR
MBR0520LT1G	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	HOTTECH
TL431IDBZR		TEXAS INSTRUMENTS
TL431IDBZR
TL431IDBZR		NXP
TL431IDBZR		TEXAS INSTRUMENTS
TL431IDBZR		NXP	151
TL431IDBZR		TEXAS
TL431IDBZR		TEXAS INSTRUMEN
TL431IDBZR		TEXASINSTRUMENTS