Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
SCR Type | Standard Recovery |
Voltage - Off State | 650V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.75V |
Current - On State (It (AV)) (Max) | 13A |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 20A |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 32mA |
Current - Hold (Ih) (Max) | 60mA |
Current - Off State (Max) | 1mA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 200A, 220A |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
|
1 404
|
105.60
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
451
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
453
|
4.78
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAGOR
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
5 813
|
7.26
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
|
152
|
18.00
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
BU941 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU941 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU941 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BU941 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
|
40
|
28.63
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
YOUTAI
|
312
|
43.06
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
84
|
260.10
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
1
|
324.00
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
68
|
224.00
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭПЛ
|
|
|
|