IXFN32N100P


Polar power mosfet hiperfet

Купить IXFN32N100P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN32N100P
Версия для печати

Технические характеристики IXFN32N100P

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPolar™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs320 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C27A
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs225nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds14200pF @ 25V
Power - Max690W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN32N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFN32N100P datasheet
109.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход