|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1.9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 980pF @ 25V |
Power - Max | 125W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFBG30PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BA159 (1A 1000V) | Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс | |||||||
MF-2-51K 5% | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA | ||||||
MF-2-51K 5% | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | 8.00 | ||||||
PBSS4540Z | NXP | |||||||
PBSS4540Z | 8 | 108.00 | ||||||
PBSS4540Z | 8 | 108.00 | ||||||
PBSS4540Z | PH / NXP | |||||||
PBSS5540Z | PHILIPS | |||||||
PBSS5540Z | 9 | 96.00 | ||||||
PBSS5540Z | NXP | |||||||
PBSS5540Z | PHILIPS | |||||||
PBSS5540Z | NXP | 16 | ||||||
ДИХЛОРЭТАН, 30 МЛ | 78.00 |
|