STP6NK90Z
Транзистор полевой N-канальный Z-Dio (900V, 5.8A, 140W, 2R)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STP6NK90Z (MOSFET) N-channel 900V - 1.56? - 5.8A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G1068G СЕРЫЙ |
|
|
||||||
| G1068G СЕРЫЙ | GAINTA |
|
|
|||||
| NCP1219BD100R2G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1219BD100R2G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| NCP1219BD100R2G |
|
|
||||||
| NCP1219BD100R2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 560 |
|
|||||
| SY010M3300B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 10 В | YAGEO |
|
|
|||
| SY010M3300B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 10 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SY010M3300B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 10 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SY016M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В | YAGEO |
|
|
|||
| SY016M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SY016M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| ZD-193 ОЛОВООТСОС | ZD |
|
|
|||||
| ZD-193 ОЛОВООТСОС |
|
|
