SF139E-142°C10A/250V ТЕРМОПРЕДОХРАНИТЕЛЬ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CM453232-1R0KL	ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812			40.00
CM453232-1R0KL	ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812	BOURNS	6 123	16.57
CM453232-1R0KL	ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812	BOURNS
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	336	100.04
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт		584	88.73
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	ФИЛИППИНЫ
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INFINEON
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	1
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	EVVO	390	77.64
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	JSMICRO	1 060	57.16
RLB0914-102KL	Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом	BOURNS	158	18.60
RLB0914-102KL	Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом			57.60
RLB0914-102KL	Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом	КИТАЙ	8	15.01
W25Q64FVSSIG		WIN
W25Q64FVSSIG		WINBOND	1 273
W25Q64FVSSIG
W25Q64FVSSIG		WINBOND
W25Q64FVSSIG		1
W25Q64FVSSIG		4-7 НЕДЕЛЬ	388
КПТ-8 ТЕРМОПАСТА ТЮБИК 50 ГР.		ПИМ