SPP04N60S5

Версия для печати

Технические характеристики SPP04N60S5

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	580pF @ 25V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPP04N60S5 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
http://www.infineon.com

SPP04N60S5 datasheet
324.29Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N3773	Транзистор биполярный большой мощности	ON SEMICONDUCTOR
2N3773	Транзистор биполярный большой мощности	TSL	52	139.20
2N3773	Транзистор биполярный большой мощности	UTC
2N3773	Транзистор биполярный большой мощности		1	245.00
2N3773	Транзистор биполярный большой мощности	ON SEMICONDUCTOR
2N3773	Транзистор биполярный большой мощности	STMicroelectronics
2N3773	Транзистор биполярный большой мощности	SSO
2SB647	Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz	HITACHI
2SB647	Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz	HIT
2SB647	Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz		2	62.40
2SB647	Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz	КИТАЙ
NCP1203D60R2G
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1203D60R2G		ONS	961	20.79
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTO
STR50103	SMPS
STR50103	SMPS	SANKEN
STR50103	SMPS	UNKNOWN
ВПТ19 0.5 А			7 200	8.00