DDTA113ZE-7-F

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DDTA113ZE-7-F (DIODES INC..)	4 800	3-4 недели Цена по запросу

TRANS PREB PNP 150MW R1/2 SOT523

Версия для печати

Технические характеристики DDTA113ZE-7-F

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Encapsulate Change 09/July/2007
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	1K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	33 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition	250MHz
Power - Max	150mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-523
Корпус	SOT-523

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DDTA113ZE-7-F datasheet