IXTN170P10P


Polarp power mosfet

Купить IXTN170P10P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTN170P10P
Версия для печати

Технические характеристики IXTN170P10P

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPolarP™
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C170A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds12600pF @ 25V
Power - Max890W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTN170P10P (MOSFET)

PolarP Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTN170P10P datasheet
120.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход