| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
8 000
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
|
40
|
1.28
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
5
|
1.17
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
RUME
|
11 600
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
|
1
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIRCHILD
|
8
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MUR260 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR260 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR260 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MUR260 |
|
|
MIC
|
80 507
|
4.59
|
|
|
|
|
SPP06N80C3 |
|
Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP06N80C3 |
|
Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
|
|
|
|
|
|
|
|
SPP06N80C3 |
|
Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP06N80C3 |
|
Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 0.29Ом
|
INFINEON
|
403
|
177.52
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 0.29Ом
|
|
|
448.80
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 0.29Ом
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 0.29Ом
|
INFINEON TECH
|
|
|
|