| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
43.35
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
|
5
|
39.60
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
1
|
|
|
|
 |
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
1 345
|
118.08
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
|
|
144.68
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
712
|
28.00
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
1 450
|
30.00
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
1 076
|
27.12
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 607
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
ПРИПОЙ SN63PB37 ELR 1.0ММ 250ГР |
|
|
|
|
1 500.00
|
|
|
|
|
ПРИПОЙ SN63PB37 ELR 1.0ММ 250ГР |
|
|
FELDER
|
|
|
|
|
|
|
ПРИПОЙ SN63PB37 ELR 1.0ММ 250ГР |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
