| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
470МКФ 35 (10X16)105°C |
|
Алюминиевый электролитический конденсатор 470мКФ, 35В, (10X16), 105°C ТК
|
|
|
|
|
 |
|
78L05 (LM78L05) |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
HTC
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
|
1
|
216.00
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
ONS
|
560
|
68.88
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
|
|
168.00
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
43.35
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
7
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 716
|
13.29
|
|
Версия для печати
