| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1206-33 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
40
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
43
|
7.56
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 196
|
2.89
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
6 278
|
2.99
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
30
|
7.24
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
143
|
3.33
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
436 792
|
1.19
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
1 040
|
1.03
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
5
|
1.94
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
499 841
|
1.29
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KEEN SIDE
|
1 600
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
3611
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
611
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
RUME
|
26 880
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ASEMI
|
416 021
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
|
8
|
139.50
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
США
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
17
|
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 520
|
14.46
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
25
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
|
1 304
|
14.88
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
КП501Б |
|
|
|
3 604
|
27.90
|
|
|
|
КП501Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КП501Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КП501Б |
|
|
1965
|
|
|
|
|
|
КП501Б |
|
|
2000
|
|
|
|