MMSF3P02HDR2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMSF3P02HDR2G (ON SEMICONDUCTOR.)	26	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMSF3P02HDR2G

Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 16V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.