BYG22BHE3/TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BYG22BHE3/TR (VISHAY.)	920	3-4 недели Цена по запросу
BYG22BHE3/TR (GENERAL SEMICONDUCTOR.)	3 288	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BYG22BHE3/TR

Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 150V
Current - Average Rectified (Io)	2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 2A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Avalanche
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	25ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	DO-214AC (SMA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.