|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002L |
|
Small signal mosfet 60 v, 115 ma, n-channel sot-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002L |
|
Small signal mosfet 60 v, 115 ma, n-channel sot-23
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002L |
|
Small signal mosfet 60 v, 115 ma, n-channel sot-23
|
|
|
|
|
|
|
3224W-1-202E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=2,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...
|
BOURNS
|
1 600
|
157.44
|
|
|
|
3224W-1-202E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=2,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3224W-1-202E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=2,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3224W-1-202E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=2,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...
|
|
|
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG DEVICES
|
4
|
703.80
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
|
1 609
|
176.00
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG DEVICES
|
92
|
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
IRFB3077 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB3077 |
|
|
|
|
400.00
|
|
|
|
IRFB3077 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.58
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 146
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|