Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
|
13 511
|
7.44
|
|
|
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
GOOD ARK
|
|
|
|
|
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
MIC
|
17
|
8.08
|
|
|
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В
|
1
|
|
|
|
|
|
 |
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой
|
|
124
|
186.00
|
|
|
|
|
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
|
320
|
132.27
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом
|
INFINEON
|
1
|
289.75
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом
|
|
|
575.64
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG |
|
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG |
|
|
|
3
|
166.32
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG |
|
|
WIN
|
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG |
|
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
180
|
|
|
