|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC4050D |
|
Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC4050D |
|
Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC4050D |
|
Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C
|
|
1
|
26.40
|
|
|
|
74HC4050D |
|
Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C
|
NXP
|
16
|
|
|
|
|
74HC4050D |
|
Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC4050D |
|
Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
|
17.72
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 832
|
11.60
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
4 800
|
9.25
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
|
29 960
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
HOTTECH
|
323 490
|
1.58
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YJ
|
6 320
|
1.97
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
525
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KLS
|
106 892
|
1.42
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ONS
|
80
|
147.60
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
PVZ3A105, 1 МОМ (3303W-3-105), РЕЗИСТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ |
|
|
MURATA
|
|
|
|