ПРОВОД МГТФ 0.03 (2013 ГОД ВЫПУСКА)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK			168.00
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INFINEON
SCL-28 (2.54MM)		AUK
SCL-28 (2.54MM)		ZHEN
SCL-28 (2.54MM)				15.20
SCL-28 (2.54MM)		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SCL-28 (2.54MM)		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SCL-28 (2.54MM)		KLS
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	344	619.92
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
К133ИЕ2			3	132.00
К133ИЕ2		МЕЗОН
К564ЛА8 (НИКЕЛЬ)