LM2931CDR2 SO-8

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт		56	165.60
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	NSC
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	TEXAS INSTRUMENTS
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	1
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	NXP
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	PHILIPS	80	91.80
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)		1	151.20
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	СИНГАПУР
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	1
КТ 645 А		RUS
КТ 646 А		RUS
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		49	19.20
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	283	48.45
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ