NIF9N05CLT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NIF9N05CLT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	480	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Версия для печати

Технические характеристики NIF9N05CLT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Specification Change MSL Updated 2/April/2007
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	59V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	250pF @ 35V
Power - Max	1.69W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NIF9N05CLT1G datasheet