PMEG2010EA

Версия для печати

Технические характеристики PMEG2010EA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	550mV @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	20V
Current - Average Rectified (Io)	1A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	50µA @ 15V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	25pF @ 5V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-76, SOD-323
Корпус	SOD-323

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0430450600MOLEX		MOLEX
IRF7416	Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	40	112.20
IRF7416	Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W			59.68
IRF7416	Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7416	Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W	КИТАЙ
IRF7416	Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W	INFINEON
KPA-3010F3C	Фотодатчики			13.40
KPA-3010F3C	Фотодатчики	KINGBRIGHT
KPA-3010F3C	Фотодатчики	KB
KPA-3010F3C	Фотодатчики	КИТАЙ
KPA-3010F3C	Фотодатчики	KGB	692	17.63
ST-215N-04		DRAGON CITY
ST-215N-04				82.08
ST-215N-04		DRAGONCITY
ST-215N-04		DCI
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В			34.00
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	СИНГАПУР
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST1
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRO
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	---
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTR