PDTD113ET


Купить PDTD113ET ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PDTD113ET
Версия для печати

Технические характеристики PDTD113ET

Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)1K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)1K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусTO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTD113E (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

NPN 500 mA, 50V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k, R2 = 1 k

Также в этом файле: PDTD113ET

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTD113ET datasheet
69.34Kb
10стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход