BFP420
СВЧ 4.5V 35mA 160mW 25GHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-SOT343-4 |
| Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 4V |
| Power - Max | 160mW |
| Gain | 21dB |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Frequency - Transition | 25GHz |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFP420 NPN Silicon RF Transistor (For high gain low noise amplifiers For oscillators up to 10 GHz)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3313J-1-203E | BOURNS | 144 | 175.64 | |||||
| 3313J-1-203E | Bourns Inc |
|
|
|||||
| 3313J-1-203E |
|
|
||||||
| 3313J-1-203E | BOURNS SENSORS |
|
|
|||||
 |
 |
3314G-1-100E |
|
Bourns Inc |
|
|
||
|
|
|
3314G-1-100E |
|
BOURNS | 11 | 87.82 | ||
|
|
|
3314G-1-100E |
|
|
|
|||
 |
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 3 120 | 18.60 | |
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
|
19.84 | ||
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
|
|
|
 |
|
GRM188R72A102KA01D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
GRM188R72A102KA01D |
|
MUR | 481 612 |
1.35 >500 шт. 0.45 |
||
|
|
|
GRM188R72A102KA01D |
|
MURATA |
|
|
||
|
|
|
GRM188R72A102KA01D |
|
|
|
|||
|
|
|
GRM188R72A102KA01D |
|
MURATA | 68 922 |
|
||
| HSMS-2822-TR1G | AVAGO |
|
|
|||||
| HSMS-2822-TR1G |
|
135.00 | ||||||
| HSMS-2822-TR1G | AGILENT TECHNOLOGIES |
|
|
|||||
| HSMS-2822-TR1G | Avago Technologies US Inc |
|
|
|||||
| HSMS-2822-TR1G | AVAGO TECHNOLOGIES |
|
|
|||||
| HSMS-2822-TR1G | BRO/AVAG |
|
|
|||||
| HSMS-2822-TR1G | BROADCOM |
|
|
