| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
|
1
|
7.56
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
MASTER CHIP
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YJ
|
2 248
|
1.64
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YS
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
LGE
|
585
|
1.74
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
SUNTAN
|
2 408
|
1.07
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
MIC
|
12
|
1.13
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YANGJIE
|
233 400
|
1.36
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
HOTTECH
|
13 414
|
2.30
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
SUNMATE
|
730
|
1.05
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
 |
DB3 A |
|
Динистор симметричный
|
|
|
|
|
|
|
|
DB3 A |
|
Динистор симметричный
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
ST MICROELECTRONICS
|
14 738
|
3.04
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
|
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
DIOTEC
|
8 197
|
2.28
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
|
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
3
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
|
608
|
51.91
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INFINEON
|
177
|
164.75
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
5
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
66
|
81.07
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
40
|
21.52
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
12
|
23.21
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
15
|
|
|
|
Версия для печати
