BCP55-10

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCP55-10		13.92
BCP55-10 (NXP.)	5 481	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BCP55-10

Корпус	SOT-223
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	180MHz
Power - Max	960mW
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	63 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BCP55

NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)

Также в этом файле: BCP55-10

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BCP55-10 datasheet
134.73Kb
5стр.