IXFN70N60Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFN70N60Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	70A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	265nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7200pF @ 25V
Power - Max	890W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN70N60Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFN70N60Q2 datasheet
110.6 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
APT60M75JVR		APT
APT60M75JVR		Microsemi Power Products Group
APT60M75JVR
GA200SA60UP		VISHAY
GA200SA60UP		INTERNATIONAL RECTIFIER
GA200SA60UP			8	2 200.00
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	22.95
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET			19.20
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	КИТАЙ
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INFINEON
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	296 455	4.92
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HUASHUO	56 208	4.06
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	YOUTAI	25 507	4.89
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	UMW	33 600	3.94
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEENSIDE	2 683	3.54
IXFN180N20				6 440.00
IXFN180N20		IXYS
IXFN44N50Q		IXYS
IXFN44N50Q