Версия для печати
Технические характеристики BCP51

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HSMS-2802			AVAGO
		HSMS-2802					81.64
		HSMS-2802			КИТАЙ
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR	26	41.38
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14		4	41.58
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ONS
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	1
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MICRO CHIP	352	100.12
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz		208	103.95
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	Microchip Technology
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MCHIP
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	ТАИЛАНД
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	205
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		92	25.76
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	35.34
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 272	14.88
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...		585	22.08
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	КРЕМНИЙ	480	32.79
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	БРЯНСК	2 555	33.48
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	МИНСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ЭЛЬТАВ	3 297	14.88
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	257
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	3194
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	4316

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"