PBSS4350T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS4350T (NXP.)	2 181	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBSS4350T

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	370mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 1A, 2V
Power - Max	540mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 150/400V 2235	Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В	JAMICON
ECAP 150/400V 2235	Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В			319.08
ECAP 150/400V 2235	Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В	JAM
ECAP 150/400V 2235	Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В	YAGEO
MMBTH10LT1G		ON SEMICONDUCTOR
MMBTH10LT1G		ONS
MMBTH10LT1G				4.80
MMBTH10LT1G		ON SEMICONDUCTOR	6 612
PBSS5540Z		PHILIPS
PBSS5540Z			9	96.00
PBSS5540Z		NXP
PBSS5540Z		PHILIPS
PBSS5540Z		NXP	16
PHP7NQ60E		PHILIPS
PHP7NQ60E		PHILIPS
SG6859TZ		Fairchild Semiconductor
SG6859TZ
SG6859TZ
SG6859TZ		SGC
SG6859TZ		FAIRCHILD