STS20N3LLH6

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STS20N3LLH6 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	1 646	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STS20N3LLH6

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1690pF @ 25V
Power - Max	2.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS20N3LLH6 (MOSFET)

N-channel 30 V, 0.0028 ?, 20 A, SO-8 STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STS20N3LLH6 datasheet
145.8 Кб