Версия для печати
Технические характеристики NTCS0805E3103JMT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Other Related Documents	UL Certificate of Compliance
Серия	2381
Resistance in Ohms @ 25°C	10K
Resistance Tolerance	±5%
B Value Tolerance	±1%
B25/85	3570K
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Power - Max	210mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	0805 (2012 Metric)

NTCS0805E3103JMT datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Датчики температуры

 » 

NTC

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	12 080	8.41
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A		4	18.00
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MUR	66 786	7.27
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	85 564
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	Murata Electronics North America
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	ЯПОНИЯ
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA*
		BLM41PG102SN1L		Дроссель подавления ЭМП 1806	MURATA
		BLM41PG102SN1L		Дроссель подавления ЭМП 1806		8	32.80
		BLM41PG102SN1L		Дроссель подавления ЭМП 1806	MUR	22 968	10.42
		BLM41PG102SN1L		Дроссель подавления ЭМП 1806	Murata Electronics North America
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS	131	5.71
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		20 016	2.92
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 581	1.86
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 680	8.27
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)		3	7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		SM4006		Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		SM4006		Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	7 858	5.60
		SM4006		Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	SMK
		SM4006		Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)		10	7.44
		SM4006		Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SM4006		Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	RECTRON	256
		SM4006		Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	DIOTEC
		SM4006		Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"