| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
801
|
37.48
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
RCA
|
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
|
|
40.00
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS
|
572
|
78.25
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
76
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
|
|
243.20
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
188
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
272
|
278.96
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|
|
|
Z80A (4МГЦ) |
|
Микропроцессор 4МГц
|
|
|
|
|
|
|
Z80A (4МГЦ) |
|
Микропроцессор 4МГц
|
GOLD STAR
|
|
|
|
|
|
КР537РУ10 |
|
|
|
4
|
138.24
|
|
|
|
КР537РУ10 |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КР537РУ10 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР537РУ10 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР537РУ10 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
208
|
206.64
|
|