|
IC GATE DVR MONO HI/LO 16SOP |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Время задержки | 130ns |
| Ток пиковое значение | 3A |
| Число конфигураций | 1 |
| Число выходов | 2 |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Корпус | 16-SOIC |
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 770602-4 |
|
Розетка на каб., 4 конт., 2,54мм, | AMPIRE |
|
|
|||
| 770602-4 |
|
Розетка на каб., 4 конт., 2,54мм, | AMP |
|
|
|||
| 770602-4 |
|
Розетка на каб., 4 конт., 2,54мм, | AMP |
|
|
|||
| 770602-4 |
|
Розетка на каб., 4 конт., 2,54мм, | TE Connectivity |
|
|
|||
| 770602-4 |
|
Розетка на каб., 4 конт., 2,54мм, |
|
|
||||
|
|
|
770602-8 |
|
TE Connectivity |
|
|
||
|
|
|
770602-8 |
|
|
|
|||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц |
|
1 133.24 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY |
|
|
|
|
|
MC78M05ABDTRKG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTRKG | ONS |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTRKG |
|
|
|||||
|
|
MC78M05ABDTRKG | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
||||
| MGB20-P-11B | 2 740 | 42.68 | ||||||
| MGB20-P-11B | 2 740 | 42.68 |