Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	10 563	4.53
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	16 525	3.65
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	1 200	4.92
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	3 484	4.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		18 560	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	67 830	1.94
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	24 800	1.37
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.21
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL	17	1 968.00
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL CORPORATION	1 538
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...		2	281.60
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	США
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL1
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP	71	1 800.00
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	NO NAME
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ST MICROELECTRONICS
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	SIEMENS
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	INFINEON
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W			64.24
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	КИТАЙ
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ISC
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ISCSEMI
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR
		GS1G			PANJIT
		GS1G			DC COMPONENTS	535 620	1.91
		GS1G				12 080	1.36
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		GS1G			OTHER
		GS1G			PANJIT
		GS1G			MICROSEMI CORP
		GS1G			YT
		GS1G			HOTTECH
		GS1G			YANGJIE	20 000	1.31
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS	800	25.50
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	MOTOROLA
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ON SEMICONDUCTOR
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	PHILIPS
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ		180	21.12
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	UTC
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	MOTOROLA	4
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ON SEMICONDUCTOR
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	PHILIPS
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS	179
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS SEMI	76
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	STMicroelectronics
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTR
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"