| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
92
|
159.69
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
К50-15-100МКФ 16В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛИ6 |
|
ремя задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 логических элемента 4И
|
|
129
|
15.22
|
|
|
|
|
К555ЛИ6 |
|
ремя задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 логических элемента 4И
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛИ6 |
|
ремя задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 логических элемента 4И
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН3 |
|
6 буферных формирователей с открытым коллектором и повышенным коллекторным напряжением
|
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН3 |
|
6 буферных формирователей с открытым коллектором и повышенным коллекторным напряжением
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН3 |
|
6 буферных формирователей с открытым коллектором и повышенным коллекторным напряжением
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН3 |
|
6 буферных формирователей с открытым коллектором и повышенным коллекторным напряжением
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
|
540
|
6.60
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
КРЕМНИЙ
|
1 705
|
17.69
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
БРЯНСК
|
1 280
|
8.00
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
МИНСК
|
23
|
10.00
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
