2Т848А
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON | 4 | 195.75 | |
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W |
|
|
||
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH |
|
|
|
| К50-12-25В-1000 МКФ | 508 | 14.00 | ||||||
| К50-15-100МКФ 16В |
|
|
||||||
 |
|
К555ЛИ6 |
|
ремя задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 логических элемента 4И | 129 | 15.22 | ||
|
|
|
К555ЛИ6 |
|
ремя задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 логических элемента 4И | МЕЗОН |
|
|
|
|
|
|
К555ЛИ6 |
|
ремя задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 логических элемента 4И | АЗОН |
|
|
|
| МБМ-0.1МКФ 250 (10%) |
|
|
