| Производитель | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное постоянное напряжение | 630 В |
| Номинальное переменное напряжение | 310 В |
| Диэлектрик | Polypropylene |
| Номинальное напряжение | 630 В |
| Размер | 26.0x7.0x16.5 |
| Шаг выводов | 22.5 |
| Рабочая температура | -55...110 °C |
| Interference Suppression Film Capacitors MKP |
| Емкость | 0.47 мкФ |
| Серия | MKP 338 2 X2 |
| Корпус (размер) | PIN |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Пленочный |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - AC | 310V |
| Voltage - DC | 630V |
| Dielectric Material | Polypropylene, Metallized |
| Допустимые отклонения емкости | ±20% |
| Tolerance | ±20% |
| Рабочая температура | -55°C ~ 110°C |
| Size / Dimension | 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) |
| Высота | 0.650" (16.50mm) |
| Termination | PC Pins |
| Lead Spacing | 0.886" (22.50mm) |
| Возможности | EMI Suppression |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1N4745A (16V) |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
|
|
13.96
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
 |
 |
IRFB4227 |
|
Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFB4227 |
|
Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А
|
|
|
580.00
|
|
|
|
|
IRFB4227 |
|
Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
MAX4420EPA+ |
|
Драйвер для MOSFET, 4,5 - 18В, 35нс, 6А
|
MAXIM
|
1
|
475.20
|
|
|
|
|
MAX4420EPA+ |
|
Драйвер для MOSFET, 4,5 - 18В, 35нс, 6А
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
MAX4420EPA+ |
|
Драйвер для MOSFET, 4,5 - 18В, 35нс, 6А
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX4420EPA+ |
|
Драйвер для MOSFET, 4,5 - 18В, 35нс, 6А
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
|
6 400
|
1.51
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YJ
|
11 880
|
3.65
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YSELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
KINGTRONICS
|
1 120
|
20.66
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
HOTTECH
|
32 800
|
1.81
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
SUNTAN
|
1 707
|
10.25
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
WUXI XUYANG
|
26 060
|
10.25
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YANGJIE
|
39 600
|
3.02
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
Версия для печати
