BSP317P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSP317P	4 651	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSP317P

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 430mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	430mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 370µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	262pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	PG-SOT223-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.